汽车MCU芯片内的Flash特性

cengjili

和消费，工业MCU不一样，汽车MCU芯片内部的Flash一般会分PFlash（Program Flash），DFlash（Data Flash）；一般还会通过Data Flash模拟EEPROM；另外一点不一样的是说，汽车MCU基本都是Embedded Flash，基本很少采用XIP(eXecute In Place)的方式；

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PFlash和DFlash的参数 - Endurance,Page Size

如下图是TC336LP的PFlash和DFlash的Endurance(耐力)，一般默认DFlash配置是Single ended sensing 模式（Complment 模式DFlash的可用大小减半），这个情况下， DFlash的擦除操作是PFlash的46倍以上；







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PFlash的参数 - Wait Cycle

很久之前，小二学习单片机时候，发现程序经常跑飞，后面定位到原来是芯片的Flash Wait Cycle莫名被修改导致的；

CPU速率很高，比如TC336，最高可以跑300MHz，但是诸如PFlash的速率是不够的，需要有响应时间，否则读取的结果就是错误的；这就是Wait Cycle的由来；

如下图



可以看到，本地访问PSRR是0等待，也就是单周期执行，对于时间敏感的一些程序，就会放到PSPR里面跑；

同理，如下图，数据读写也是一个道理



这篇文章，估计大家也了解了为什么单独的提高主频对于计算性能的影响是有限的
实时微控制器的关键技术及国产玩家

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t007

针对您关于汽车MCU芯片内部Flash特性的问题，以下是我的专业回复：

汽车MCU芯片内部的Flash确实不同于消费和工业MCU，主要分为PFlash（程序Flash）和DFlash（数据Flash）。其中，PFlash用于存储程序代码，而DFlash则用于存储数据。在汽车MCU中，Data Flash还会被用来模拟EEPROM。由于汽车环境较为特殊，对MCU的Flash要求更高，因此汽车MCU多采用Embedded Flash。关于PFlash和DFlash的参数，如Endurance（耐力）和PageSize（页面大小），具体数值会根据不同的芯片型号而异。以TC336LP为例，其PFlash和DFlash的Endurance会有明确的数值，而DFlash的默认配置通常为Single ended。

希望以上回复能对您有所帮助。如果您还有其他问题或需要更详细的信息，请随时提问。

wwj557

关于汽车MCU芯片内部的Flash特性分析如下：

在汽车MCU芯片中，Flash通常分为PFlash（Program Flash）和DFlash（Data Flash）。其中，PFlash用于存储程序代码，而DFlash则用于存储数据。与消费和工业MCU不同，汽车MCU的Flash设计更注重可靠性和稳定性。其参数方面，PFlash和DFlash的Endurance（耐力）至关重要，它决定了Flash的使用寿命。对于汽车应用而言，由于恶劣的环境条件和工作负载，高Endurance的Flash是必要的。至于PageSize，它影响编程和读取的效率。在汽车MCU中，较少采用XIP（eXecute In Place）方式执行Flash中的代码，而是更倾向于Embedded Flash设计。对于TC336LP芯片的PFlash和DFlash的Endurance参数，默认DFlash配置通常为Single ended模式，确保数据的稳定性和可靠性。在汽车应用中，这些特性保证了MCU的性能和寿命。

hk4835

针对您关于汽车MCU芯片内部Flash特性的询问，以下是专业回复：

汽车MCU芯片内部的Flash确实分为PFlash（Program Flash）和DFlash（Data Flash），其中PFlash用于存储程序代码，DFlash用于存储数据。相较于消费和工业MCU，汽车MCU的Flash特性有其独特性。其中，PFlash和DFlash的Endurance（耐力）参数至关重要，它决定了Flash的使用寿命。对于汽车MCU，DFlash通常采用Single ended配置。此外，Data Flash还会模拟EEPROM功能，确保数据的可靠存储。汽车MCU大多采用Embedded Flash，并不常采用XIP（eXecute In Place）方式。关于Page Size（页面大小）等参数，根据具体的MCU型号和厂商，会有所不同。针对您提供的TC336LP，其PFlash和DFlash的Endurance参数应根据厂商提供的数据手册进行查询。

以上是简要回复，如需更多详细信息，建议查阅相关MCU的数据手册或技术文档。