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[BMS] BMS涉及到的脉冲群(EFT/B)测试(下)

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发表于 24-8-2023 08:59:50 | 显示全部楼层 |阅读模式

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这次把EFT/B的内容写完,介绍一下其针对BMS的测试方案。低压端测试前文也说过,在GB/T 38661-2020里面是有提过EFT/B测试,但是这里其实写的不清楚,没有写具体的测试用例。
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那么参照GB/T 17626.4与实际的试验情况,低压端测试主要分为供电端口与信号端口。供电端口即12V端口,包括电源与GND;电源端口又包含继电器供电与单板供电两种,两个是一起做的;试验的布局结构如下图,脉冲群发生器通过耦合网络将信号注入到12V与GND上;铅酸电池正负极接到去耦网络的输入端,同时铅酸电池的负极连至接地参考平面。
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标准中具体的试验布置如下图,所以GND与接地参考平面之间隔了一个去耦网络,不是直接相连的,所有的信号脉冲都是相对于接地参考平面的共模干扰。
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信号端口电源端口是直接耦合,但对于其他的信号或控制端口,标准中建议使用容性耦合夹的方式间接注入干扰波形;试验的布局结构如下图,信号或控制线束要放置在容性耦合夹的中央,此处就不使用耦合/去耦网络了;电源线要单独放置,并且铅酸电池的负极连接至接地参考平面。
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标准中具体的试验布置如下图,这个同样是相对于接地参考平面的共模干扰。
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高压端测试上面是低压端的测试方法,这个在标准中定义得还是比较清晰的;但BMS上还存在隔离的高压供电线与信号线,具有代表性的就是采集器上的AFE电路;但针对高压线来讲,目前还没有标准清晰地定义出实验方法,所以我们这里就假设几种可能的测试方法。
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方法1、参考接地平面为低压地,高压输入端接电池模组具体参见下图,脉冲群发生器的参考接地平面与BMS低压GND是接到一起的,那么所有注入到HV线上面的干扰信号是参考低压GND的共模干扰,因为高低压隔离的原因,此时落到DUT的能量比较弱。
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方法2、参考接地平面为电池模组负极,高压输入端接电池模组具体参见下图,这种方法把高压地当做了参考接地平面,所以脉冲发生器注入到高压线的干扰信号是相对于HV-的共模信号;此时落到DUT的能量比方法一要强。
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方法3、参考接地平面为电池模组负极,电池模组放置在耦合/去耦网络前端具体参见下图,接地参考平面是电池模组负极,但是电池模组与DUT之间放置了耦合/去耦网络,此时施加在DUT的能量是最强的,因为去耦网络的存在,导致电池模组不能吸收一部分能量。
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总结:您看到这篇文章的时候,我应该正在回家的路上;这篇写得挺久的,最近的时间被用来把工作收一下尾,过个好年。以上所有,仅供参考。


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发表于 19-3-2025 17:43:00 | 显示全部楼层
关于BMS涉及的脉冲群(EFT/B)测试方案,针对低压端测试,主要包括供电端口与信号端口两部分。在GB/T 38661-2020标准中虽提及EFT/B测试,但对具体测试用例未有详尽描述。参照GB/T 17626.4标准与实际试验情况,供电端口包括继电器供电与单板供电两部分。在试验布局中,脉冲群发生器通过耦合网络将信号注入至12V电源与GND上。同时,为确保测试准确性,铅酸电池正负极连接至去耦网络输入端,其负极再连接至接地参考平面。此方案旨在全面评估BMS在脉冲环境下的性能表现,确保系统稳定性与可靠性。
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发表于 19-3-2025 17:43:00 | 显示全部楼层
关于BMS涉及的脉冲群(EFT/B)测试方案,针对低压端测试,我们主要关注供电端口与信号端口。在GB/T 38661-2020标准中虽提及EFT/B测试,但对具体测试用例描述不够详尽。

参照GB/T 17626.4标准与实际试验情况,供电端口包括继电器供电与单板供电,应同时进行测试。在试验布局中,脉冲群发生器通过耦合网络向12V电源和GND注入信号。同时,为确保测试的准确性和安全性,铅酸电池正负极连接至去耦网络输入端,其负极与接地参考平面相连。

此测试方案旨在评估BMS在脉冲群干扰下的性能表现,确保其在恶劣电磁环境中仍能正常工作,为电动汽车的可靠性提供有力保障。
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