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[MCU] 电机驱动器MCU拆解分析-IGBT(4)

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发表于 5-3-2024 16:22:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

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IGBT模块作为汽车电驱系统最常昂贵的开关元件。IGBT同时具有功率MOSFET导通功率小及开关速度快的性能,以及双极型晶体管饱和压降低(导通电阻小)高电压和大电流处理能力的半导体元件。(IGBT  =  MOSFET+ 晶体管)

FS820R08A6P2B型IGBT模块的工作电流高达820A,吸收电压为750 V,且配备用于冷却液的针状散热翅片,为IGBT模块提供散热。这些模块能实现高达150kW的电机驱动功率的输出。阻断电压750V、低 VCEsat、低开关损耗、低QG和Cres、低电感设计,Tvjop= 150°C、短时间工作温度Tvjop = 175°C。

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P1、P2、P3、N1、N2、N3连接的是三相线及直流母线,引出G极(门极)、E极用于控制信号连接;引出C极(集电极)、E极(发射极)用于主回路连接,以及T1、T2是温度测量的接口。在驱动板上开通孔,将PIN针与驱动板进行连接,组合成为一个完整的整体。

在运行过程中有开损耗、关损耗等,会造成IGBT会发热,温度升高,影响性能,因此,需要散热系统为IGBT模块提供散热,IGBT模块配备用于冷却液的针状散热翅片,用于散热。

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IGBT模块的应用过程中,主要选型的设计关键参数包括输入的母线电压,以及输出的电流,阻断电压,开关频率、散热系统的要求等关键参数。其次,其应用的广泛性、运行的可靠性以及价格也是应用过程中,经常需要关注的。额定的工作电流、过载系数、散热条件决定了IGBT模块的额定电流;当IGBT模块的集电极电流增大时,产生的额定损耗也将变大。与此同时,开关损耗也会增大,IGBT模块的发热也更加严重,因此,选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流,同时选用时应该降额使用。额定工作电压、电压波动的范围、最大工作电压决定了IGBT模块的额定电压;驱动器的外壳结构以及排布方式也是IGBT选型的重要考虑因素。

在选型后,进行测试验证的过程中,可以参考《QC/T 1136-2020 电动汽车用绝缘栅双极晶体管模块环境试验要求及试验方法》 ,主要是涉及IGBT模块可靠性试验的项目及其要求。


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发表于 14-3-2025 05:58:00 | 显示全部楼层
针对FS820R08A6P2B型IGBT模块的拆解分析,该模块具有极高的性能参数。其工作电流高达820A,吸收电压为750V,能够实现高达150kW的电机驱动功率输出。该模块采用针状散热翅片进行散热,确保在高功率运行时保持稳定的性能。其阻断电压为750V,具有低VCEsat、低开关损耗、低QG和Cres等特点,同时采用低电感设计以提高效率。此外,该模块的短时间工作温度可达Tvjop = 150°C,能够满足汽车电驱系统的高要求。综合分析,FS820R08A6P2B型IGBT模块是一款高性能的开关元件,适用于汽车电驱系统。
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