AUTOSAR MCAL分析(2)：Memory Driver

目录

1. AUTOSAR Memory Driver模块概述

2. Flash Driver

3. EEPROM Driver

4. Flash Test

5. RAM Test

6. 小结

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1. AUTOSAR Memory Driver模块概述

之前聊过存储栈，主要是针对NvM以及Fee的讨论，对于Memory Driver里面各模块基本没有介绍。但在我们在讨论功能安全的时候，RAM和Flash的测试是不可能绕开的话题；而恰巧Memory Driver提供这样的功能，如下图所示：

Memory Driver包括Flash Driver、Internal EEPROM Driver、RAM Test、Flash Test四个大功能模块，那么今天就简单介绍Flash Driver、Internal EEPROM Driver的功能，重点分析RAM Test和Flash Test的用法。 2. Flash Driver

Flash Driver是能够直接访问到硬件存储器的模块，主要提供存储的读写擦功能，以及对应的读写擦保护功能；但值得注意的是，AUTOSAR定义的Flash Driver只针对数据存储区(DFlash)，因此大家在配置NvM的时候都会把FlashDriver挂到目标Fee模块下。而要想实现代码的刷写，那就是另一个范畴了。这也是解释了英飞凌的MCAL里为什么有FlashLoader和Fls_Dmu;突然回想起才参加工作做标定的时候，老板让我用FlsLoader接口，我还比较纳闷，现在回想起来，可能是不想跟我多说，怕我迷糊了。关于Driver其实可讲的不多，主要功能读、写、擦、比较等，这属于纯纯的API调用；Flash Write的调用时序如下：

3. EEPROM Driver

那如果MCU里本身就带EEPROM，好办了，不需要用Flash去模拟了，因此EEPROM Driver主要是为EEPROM硬件的读写擦提供接口，其时序如下：

可以看到，基本上写和擦都是异步操作，所以JobEndNotifaction就显得格外重要，这也是我们调试NvM的重要手段。4. Flash Test

灵魂一问，为什么需要Flash Test？当程序进行更新后，如何确认程序下到板子里了？很明显，每一家主机厂都有一个刷新完整性、有效性、相关性的检查，那么可不可以沿用到NvM的管理中呢？我想是可以的。因此，Flash Test主要是用于测试下载到板子里的hex是否被篡改或者Flash Cell被破坏。常见的Flash Test的算法有CRC8\16\32、Checksum、ECC等，不过CRC8有几率发生不同数据生成相同的值，目前主机厂多选CRC16。那么Flash Test一般在什么情况下使用呢？根据AUTOSAR SRS描述，可以在MCU初始化后任意时刻使用，那就意味着，这种测试手段可以作为一个周期任务进行调度，因此就有了background mode和foreground mode。

Background Mode：(FlsTst_MainFunction)周期调用，可以被打断，因此一个测试周期可以被切成多次周期任务；

Foreground Mode：使用者主动调用API：FlsTst_StartFgnd，不能被打断

5. RAM Test

与Flash Test类似，区别在于RAM Test主要是保证RAM的Cell的寿命，不测RAM内容。它同样分为background test和foreground test。

Foreground test：由测试环境同步调用Background test：由调度器周期调度

由于RAM的测试分为破坏性和非破坏性测试，用户通常不会去考虑具体实现，只想通过某个寄存器触发某种测试算法，因此大家熟悉又陌生的MTU出现了。它为我们提供了各种各样的RAM测试算法，包括：棋盘算法(Checkboard)、March算法、Galpat/Transparent galpat、Walk path等等；这样用户就只需要去触发、获取结果即可，大大减少了集成难度。值得一提的是，在ISO26262 Part5中以RAM的双点故障为例，列举了不同ASIL等级下的对潜伏故障的诊断覆盖率要求，如下：


因此个人认为，在ECU的安全分析里必须包含对于RAM Test的诊断覆盖率的考虑。6.小结

Memory Driver这一章节确实可聊的内容有效，具体主要在实操上，比如CRC8的抗碰撞性较弱导致NvM管理问题，FLash的ECC导致MCU进异常等等，这些处理方式后面再和大伙讨论吧，就酱！周末愉快！

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